Электроника НТБ #3/2013
М.Гольцова
Литография с использованием жесткого УФ-излучения. Быть или не быть?
Сегодня для изготовления микросхем с нанометровыми проектными нормами разработчиков привлекают литография с использованием экстремального, или жесткого УФ-излучения (EUV), иммерсионная глубокая УФ-литография с двойным экспонированием и безмасочная электронно-лучевая. Каковы достоинства и недостатки технологий литографии? Каковы перспективы их применения?