Электроника НТБ #3/2015
С.Никулин, А.Торгованов
Проектирование усилителей СВЧ-мощности Эффективность метода удаленной переменной нагрузки
В работе рассматривается новый метод определения S-параметров транзистора и анализируется его эффективность для создания усилителей СВЧ-мощности.
Электроника НТБ #3/2013
Д.Красовицкий, А.Филаретов, В.Чалый
Стандартизованные процессы производства нитридной СВЧ ЭКБ. СОСТОЯНИЕ И БЛИЖАЙШИЕ ПЕРСПЕКТИВЫ
На отраслевой научно-технической конференции "Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники", которая прошла в Новосибирске 27–28 сентября 2012 года, генеральный директор ЗАО "Светлана-Рост" В.П.Чалый сообщил, что возглавляемое им предприятие готово предоставлять услуги фаундри для производства СВЧ ЭКБ на основе AlGaN DH-HEMT. Создана технология изготовления транзисторов S- и C-диапазонов. Предприятие переходит к разработке стандартизованных процессов производства монолитных интегральных схем на основе этих транзисторов, включая формирование воздушных мостиков, МДМ- конденсаторов и сквозных переходных отверстий. В перспективе предусматривается переход к более высоким частотам.