Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "sic"

Электроника НТБ #8/2022
М. Макушин
НЕКОТОРЫЕ ПЕРСПЕКТИВЫ РЫНКА ПРИБОРОВ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

DOI: 10.22184/1992-4178.2022.219.8.30.38 Анализируются состояние и перспективы рынка приборов для силовой электроники, который демонстрирует устойчивые темпы роста. Дается прогноз наращивания мощностей по производству мощных полупроводниковых приборов и модулей на основе GaN и SiC.

Аналитика #5/2013
К. Понкратов
Исследование полупроводниковых материалов методом конфокальной рамановской микроскопии

Компания Renishaw (Великобритания) – мировой лидер в области промышленной метрологии, контроля перемещений, спектроскопии и прецизионной обработки. Конфокальный рамановский микроскоп inVia, выпускаемый компанией, объединяет в себе все новейшие технологии в полном соответствии с девизом компании – Apply Innovation. В статье приводятся примеры использования микроскопа для исследований качества пластин полупроводников.

Первая миля #3/2013
М.Лаврентьев, Д.Гелерман
Новое поколение твердотельных усилителей мощности GаN HEMT в системах спутниковой связи и вещания

Новое поколение твердотельных усилителей мощности для систем спутниковой связи и вещания появилось на рынке благодаря успешному развитию технологии GaN HEMT. Ряд уникальных технических параметров позволяет GaN-транзисторам уверенно вытеснять такие технологии, как ЛБВ и GaAs-транзисторы. В статье рассматриваются вопросы применения нового поколения твердотельных усилителей мощности и перспективы дальнейшего развития этого направления индустрии.