Электроника НТБ #6/2019
Д. Суханов, В. Команов
Гетерогенная интеграция с помощью групповой сварки кристалл-пластина – эффективный подход к 3D-интеграции микросхем
Рассмотрен процесс групповой сварки кристалл-пластина. Отмечено, что данный процесс обеспечивает высокую производительность при сохранении сложности сварочного оборудования для пластин на приемлемом уровне и является универсально подходящим для известных и перспективных задач гетерогенной интеграции. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.187.6.162.167
Наноиндустрия #2/2018
Д.Вюнш, Л.Пурвин, Р.Мартинка, И.Шуберт, Р.Юнганс, М.Баум, М.Вимер, Т.Отто
Временное сращивание пластин – ключевая технология для МЭМС-устройств
Утонение после временного сращивания пластин – ключевая технология 3D-интеграции датчиков и электронных компонентов для получения миниатюрных систем. Обработка ультратонких кремниевых пластин является сложным процессом, поэтому были разработаны различные технологии их временного сращивания с носителем для стабилизации и защиты пластин во время производственных операций. УДК 621.382.2 /.3; ВАК 05.27.06; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.81.2.144.154
Электроника НТБ #3/2016
М.Макушин, В.Мартынов
Новые аспекты развития современной микроэлектроники
На современном этапе развития микроэлектроники аспекты применения закона Мура изменяются: действие экономических факторов при переходе к новым уровням технологии становится превалирующим
Наноиндустрия #3/2014
П.Афанасьев, О.Бохов, В.Лучинин
Создание технологического кластера гибкой печатной электроники
Особое место среди инновационных электронных технологий занимают решения в области гибкой печатной электроники и фотоники. Современной аппаратно-программной платформой для экспресс-прототипирования и производства изделий микротехники нового поколения является кластер гибкой печатной электроники.
Наноиндустрия #7/2013
В.Тюльпанов, А.Васильев
Сборка интегральных схем по технологии 3D-интеграции
Одной из основных тенденций в микроэлектронике является уменьшение габаритов изделий при одновременном повышении их производительности и функциональности. Для решения этой задачи успешно применяются методики трехмерной компоновки составных элементов интегральных схем. Наиболее интенсивно развиваются методы 3D-интеграции, которая заключается в сборке изделий, начиная с полупроводниковых пластин 3D-WLSiP до стадии упаковки кристаллов в корпус. Современные технологии позволяют монтировать кристаллы на пластину и пластины между собой, получая готовое изделие даже до разделения пластин на отдельные кристаллы.