Электроника НТБ #1/2014
И.Викулов
GаN-микросхемы претендуют на замену ЭВП. Конкуренция обостряется
Полученные к настоящему времени мощности отдельных GaN-транзисторов и усилителей в некоторых диапазонах частот достигают сотен ватт. Но готовы ли GaN-приборы заменить ЭВП в наиболее ответственных применениях, включая системы радиовооружения? Ведь развитие ЭВП пока не прекратилось. Но и нитрид галлия быстрыми темпами укрепляет свои позиции.