Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега - микроволновые интегральные микросхемы

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "микроволновые интегральные микросхемы"

Электроника НТБ #2/2011
Ю.Федоров
Широкозонные гетероструктуры (Al,Ga,In)N и приборы на их основе для миллиметрового диапазона длин волн

Полупроводниковые приборы на основе широкозонных соединений нитридов достаточно давно привлекают внимание разработчиков всего мира. Действительно, приборы на основе GaN-гетероструктур обещали уникальное сочетание мощностных и частотных характеристик. И эти надежды отчасти начали сбываться – GaN-транзисторы и монолитные интегральные схемы на их основе уже производятся серийно. Но камнем преткновения оставались высокие частоты, прежде всего – в миллиметровом диапазоне длин волн. Однако в последние годы, судя по многочисленным публикациям, и эта проблема преодолена. И вскоре ведущие мировые производители приступят к производству СВЧ-приборов на основе широкозонных гетероструктур (Al,Ga,In)N для работы в миллиметровом диапазоне. По сути, это означает новую эру в полупроводниковой СВЧ-электронике, поскольку открывает поистине фантастические возможности.