Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "гетероструктуры"
Наноиндустрия #1/2023 К.А.Царик, О.Б.Чуканова, Е.А.Козловская ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ПРИ ПОСТРОЕНИИ GaN НОРМАЛЬНО ЗАКРЫТЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ СИЛОВЫХ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.1.70.79 В статье рассмотрены ключевые зависимости характеристик нормально-закрытых транзисторов от параметров GaN гетероструктур. Определены толщины и концентрации легирующих примесей в слоях гетероструктуры. В результате моделирования получены вольтамперные характеристики р-канального полевого транзистора и n-канального транзистора с подзатворным слоем р-типа.
Электроника НТБ #6/2018 А. Туркин Гетероструктуры на основе GaN в СВЧ-электронике: обзор работ
Приведен обзор ряда работ по применению GaN-гетероструктур и приборов на их основе в СВЧ-электронике. Отмечено, что исследования GaN-гетероструктур, которые достаточно активно ведутся в настоящее время, носят как фундаментально-научный, так и прикладной характер. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.177.6.70.73 УДК 621.382 | ВАК 05.27.01
Наноиндустрия #9/2018 Певцов Евгений Филиппович, Беспалов Алексей Викторович, Буш Александр Андреевич, Голикова Ольга Львовна Электрофизические свойства структур с тонкими пленками сегнетоэлектриков
Проведены комплексные исследования электрофизических свойств гетероструктур с тонкими пленками сегнетоэлектриков типа PbZr0,53Ti0,47O3 на Si и PbTiO3/YBa2Cu3O7–x на SrTiO3. Получены новые данные по вольт-фарадным характеристикам этих структур и проведены количественные оценки параметров физических моделей, описывающих процессы переключения поляризации и эффекты на границах между слоями. УДК 537.9+621.315.592.9 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.471.480
Электроника НТБ #3/2016 А.Алексеев, С.Иванов, С.Сорокин Тандем отечественной науки и производства для решения перспективных задач оптоэлектроники
Представлено модернизированное оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур на основе широкозонных полупроводниковых соединений А2В6.
Электроника НТБ #10/2015 П.Мальцев полупроводниковая СВЧ-электроника в России. Институт СВЧПЭ РАН – исследования и разработки
Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.
Наноиндустрия #1/2011 А.Алексеев, Д.Красовицкий, С.Петров, В.Чалый. Выращивание высокосовершенных гетероструктур III-N 20
ЗАО «НТО» (SemiTEq) – лидирующий российский производитель установок молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для выращивания материалов в системах InAlGaN (III-N), InAlGaAs, широкозонных соединений А2В6, других гетероструктур. В работе представлены результаты по использованию для выращивания гетероструктур системы III-N специализированной установки МЛЭ STE3N2. Ее уникальные особенности – расширенный диапазон температур подложки (до 1200°С) и отношений V/III. На основе полученных гетероструктур созданы мощные полевые транзисторы с рекордными для России параметрами.
eng
