Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "power electronics"
Электроника НТБ #8/2022 Ш. Шугаепов, Е. Ермолаев, В. Егошин, Р. Ахметгалиев МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА АО «ЗПП» ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.219.8.56.60 Рассмотрены металлокерамические корпуса производства АО «Завод полупроводниковых приборов» (АО «ЗПП») для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем силовой электроники. Приведена информация об особенностях и характеристиках этих корпусов.
Электроника НТБ #8/2022 М. Гундарцев, С. Клейн СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА: ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ IGBT-ДРАЙВЕР ПРОИЗВОДСТВА АО «АНГСТРЕМ»
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.219.8.42.45 Приведено краткое описание изделий силовой электроники, разработанных и произведенных в АО «Ангстрем». Отмечено, что продукция силовой электроники, выпускаемая на производственных мощностях АО «Ангстрем», на существующем технологическом уровне удовлетворяет самым высоким требованиям функциональности, надежности, температурной стойкости.
Наноиндустрия #7-8/2018 А.Афанасьев, В.Ильин, В.Лучинин, А.Михайлов Газофазная эпитаксия – ключевая технология силовых МДП-транзисторов на карбиде кремния
Рассмотрены особенности применения и возможности газофазной эпитаксии в технологии изготовления силовых вертикальных МДП-транзисторов на основе 4H–SiC при формировании дрейфовой области прибора и оптимизации электрофизических свойств канала транзистора. С технологической точки зрения ключевыми элементами для создания карбидокремниевых компонент силовой электроники, определившими возможность создания электронной компонентной базы (ЭКБ) силовой электроники на 4H–SiC, являются технологии объемного и эпитаксиального роста. Улучшение технологии эпитаксиального роста наряду с улучшением качества подложек сделало возможным изготовление приборных структур, демонстрирующих преимущества карбида кремния как базового материала силовой электроники по сравнению с другими полупроводниками. DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.7-8.488.497
Электроника НТБ #7/2018 М. Макушин, А. Фомина Проблемы развития микроэлектроники в Европе
Рассматривается новый общеевропейский проект в сфере микроэлектроники. Основные направления проекта: технология полностью обедненного кремния на изоляторе (КНИ, FD-SOI), датчики, силовая электроника и сложные полупроводниковые приборы (compound semiconductors). У Европы есть шанс стать лидером в области Интернета вещей при использовании собственных активов. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.178.7.160.170 УДК 621.37 | ВАК 05.27.06
Наноиндустрия #8/2017 А.Афанасьев, В.Вьюгинов, Н.Гладков, А.Зыбин, В.Ильин, В.Клевцов, В.Кутузов, В.Лучинин, В.Попов Импортозамещение карбидокремниевой ЭКБ. Стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана"
В рамках решения задачи импортозамещения с целью обеспечения технологической независимости и безопасности государства реализовано стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана" в области организации отечественного технологического маршрута изготовления ЭКБ на основе карбида кремния. УДК 621.382, ВАК 05.27.06, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.79.8.50.59
Электроника НТБ #8/2014 "Группа Кремний ЭЛ": новая отечественная элементная база для силовой электроники
Рассматриваются представленные на конференции, посвященной разработке и производству современной элементной базы для вторичных источников электропитания, новые разработки и перспективные технологии, внедряемые компанией "Группа Кремний ЭЛ". Отмечается, что созданы предпосылки для развития российской импортонезависимой (import independed) микроэлектроники.
eng
