Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "малошумящий усилитель"

Электроника НТБ #10/2021
Д. Садеков
ВЧ-УСИЛИТЕЛИ ОТ ANALOG DEVICES: ОБЗОР НОВИНОК

DOI: 10.22184/1992-4178.2021.211.10.102.105 Analog Devices предлагает все необходимые компоненты для построения сигнальной цепи преобразования ВЧ/СВЧ-сигналов и создания устройств, работающих на частотах до 100 ГГц. В статье представлен обзор новинок в линейке ВЧ-усилителей, выпущенных компанией за последнее время.

Электроника НТБ #10/2020
Д.Садеков
ОБЗОР ВЧ / СВЧ-КОМПОНЕНТОВ ANALOG DEVICES: ОСНОВНЫЕ КАТЕГОРИИ УСТРОЙСТВ И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.201.10.84.88 В статье представлен обзор основных групп ВЧ / СВЧ-компонентов, выпускаемых Analog Devices, ключевые особенности новинок, выпущенных на рынок за последнее время, перспективные области применения этих изделий.

Наноиндустрия #1/2017
Д.Копцев, О.Кузнецова, Н.Шелепин
Малошумящий усилитель по технологии кремний-на-изоляторе с топологическими нормами 0,18 мкм

Проведено экспериментальное исследование возможности реализации МШУ на основе КМОП КНИ-технологии с нормами 0,18 мкм. Рассматриваются преимущества КНИ-технологии для изготовления СВЧ ИС. Разработан и изготовлен МШУ с использованием КМОП КНИ-технологии, имеющей шесть уровней алюминиевой металлизации. DOI:10.22184/1993-8578.2017.71.1.88.94

Электроника НТБ #7/2016
Е.Балашов, А.Коротков, И.Румянцев
Интегральные КМОП-схемы диапазона СВЧ: Опыт разработки

Рассмотрены особенности построения СВЧ ИС на основе КМОП-технологии. Описаны примеры проектов СВЧ ИС, в том числе малошумящие усилители, генераторы, управляемые напряжением, смесители, фазовращатели и усилители мощности.

Наноиндустрия #3/2015
Ю.Федоров, П.Мальцев, О.Матвеенко, Д.Гнатюк, Д.Крапухин, Б.Путинцев, А.Павлов, А.Зуев
МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах

В ИСВЧПЭ РАН разработаны конструкции монолитных интегральных схем (МИС) со встроенными антеннами для приемных и передающих трактов с усилителями мощности и малошумящими усилителями соответственно. МИС усилителей со встроенными антеннами изготовлены на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs для диапазонов частот 5 и 10–12 ГГц и AlGaN/GaN для диапазона 58–65 ГГц. Измерены диаграммы направленности антенн. DOI:10.22184/1993-8578.2015.57.3.44.51