Электроника НТБ #2/2023
А. Махаринец, Л. Милешко
ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОЕ АНОДИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ, КАРБИДА И НИТРИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ЦЕЛЕЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ (ОБЗОР)
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.223.2.88.90 Представлен анализ технологий формирования нанометровых анодных оксидных пленок (АОП) методом электролитического анодирования кремния, карбида и нитрида кремния. Приведены примеры использования таких технологий в микро- и наноэлектронике.
Наноиндустрия #2/2019
И.В.Яминский, А.И.Ахметова, Г.Б.Мешков, А.В.Оленин
Сканирующая зондовая микроскопия 2D наноразмерных структур для энергонакопителей и катализаторов
В рамках работ по модификации строения и определения физико-химических и электрофизических характеристик 2D наноразмерных структур проведено исследование их проводимости. Получены данные об электрической проводимости структур TiS3 на поверхности оксида кремния. Измерены проводимости графена и графита методом СРМ. Данные получены с помощью СЗМ ФемтоСкан. DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.2.148.151
Наноиндустрия #9/2018
Волосов Анатолий Викторович Панасенко Петр Васильевич Пяточкин Михаил Дмитриевич
Моделирование тепловых процессов в СВЧ-модулях с различными основаниями
Работа посвящена моделированию тепловых процессов в СВЧ приемо-передающих модулях (ППМ). Приведены результаты моделирования влияния материала коммутационной платы и конфигурации сквозных металлизированных отверстий на ее теплопроводность, показано распределение температурных полей, установившееся при штатной работе устройства. Исследованы варианты исполнения ППМ на многослойной плате из низкотемпературной керамики, на многослойных полимерных печатных платах и на основе кремниевых коммутационных плат, проведен анализ полученных результатов и их сравнение с данными экспериментальных исследований. УДК 621.396.61, 621.396.62 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.443.444
Электроника НТБ #4/2017
Е.Маянов, Ю.Пархоменко, А.Наумов
Краеугольный кремний: промышленное полупроводниковое материаловедение в России
Полупроводниковые материалы, в первую очередь кремний, занимают одно из ведущих мест в ряду компонентов, определяющих уровень развития современной электронной техники. В статье рассмотрены наиболее важные ранние исследования и разработки российских ученых по материаловедению и созданию промышленной базы производства полупроводникового кремния, в том числе малоизвестные. УДК 546.289:621.315 ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.164.4.98.104
Электроника НТБ #9/2016
А.Наумов
Метод создания мира. К 100-летию открытия метода Чохральского и 60-летию получения первого кристалла германия в России
Рассматриваются тенденции и перспективы развития технологии выращивания монокристаллов германия и кремния в мире и в России. Приводятся характеристики отечественных промышленных установок выращивания монокристаллов.
Электроника НТБ #2/2016
Б.Жалнин, М.Каган, А.Наумов
Отечественная космическая энергетика: вчера, сегодня и завтра
Прогресс в космонавтике неразрывно связан с состоянием бортовых систем электропитания. Показана эволюция элементной базы космической фотоэнергетики в 1950–2010 годы – от первых кремниевых солнечных батарей до каскадных батарей на основе арсенида галлия. Обсуждаются перспективы развития солнечных элементов до 2025 года.
Электроника НТБ #2/2016
И.Иванов
Методика оценки и сравнения кремниевых фотоумножителей
Решение множества задач регистрации единичных фотонов зависит от чувствительности и эффективности детектора. По многим параметрам кремниевые фотоумножители превосходят традиционные фотоэлектронные умножители. Статья подсказывает, на что необходимо обратить внимание при выборе SiPM-детекторов.
Электроника НТБ #4/2015
А.Брыкин, А. Артемов, Д. Арсеньева
Электроконденсационный метод синтеза кремния, углерода и карбида кремния
В статье рассмотрены особенности электроконденсационного метода синтеза кремния, углерода и карбида кремния, не требующего сложного и дорогостоящего оборудования и позволяющего снизить затраты, улучшить экологические показатели и безопасность производства. Проводится сравнение с другими известными способами получения этих материалов.