Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "transistor"

Электроника НТБ #10/2024
В. Иванов, Д. Суханов
ТЕНДЕНЦИИ КОРПУСИРОВАНИЯ И СБОРКИ ДИСКРЕТНЫХ СИЛОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА БАЗЕ ПОЛЕВЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ

DOI: 10.22184/1992-4178.2024.241.10.154.162 Рассмотрены различные виды силовых полупроводниковых устройств. Приведена информация о корпусах разных типов для силовых элементов на базе полевых МОП-транзисторов, предлагаемых рядом производителей.

Наноиндустрия #9/2018
Тарасов Сергей Викторович, Семейкин Игорь Валентинович, Цоцорин Андрей Николаевич
Мощные GaN транзисторы для применения в перспективной аппаратуре

В статье представлены результаты измерения нитрид-галлиевых транзисторов разработки АО «НИИЭТ». Проведен сравнительный анализ отечественных транзисторов с зарубежными аналогами. При создании структур кристаллов мощных СВЧ транзисторов были проработаны различные конструктивные варианты. УДК 621.315.55 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.335.336

Наноиндустрия #9/2018
Греков Артем Владимирович, Тюрин Сергей Феофентович
Совершенствование логики FPGA на основе увеличения разрядности LUT и создания адаптивных логических модулей

Получены выражения для оценок сложности и быстродействия декомпозиции многоразрядного LUT на LUT меньшей разрядности Выполнено сравнение сложности и задержки в количестве транзисторов при декомпозиции многоразрядного LUT в системе компьютерной математики Mathcad. Установлены особенности построения многоразрядных LUT и оценены различные варианты декомпозиции при дальнейшем увеличении размерности LUT с последующим выбором оптимального варианта адаптивного логического модуля. УДК 004.3, SPIN-код: 3745-5880, ORCID: 0000-0002-1553-6874 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.160.166

Электроника НТБ #4/2015
Ю.Носов
О рождении микроэлектроники. Величайшая научно-техническая революция и современность

История рождения микроэлектроники, увлекательная сама по себе, вызывает сегодня особенно пристальное внимание в связи с обострившейся общеполитической ситуацией в мире, стремлением западных держав посредством санкций изолировать нашу страну от мирового прогресса электроники. Характерно, что во времена "холодной войны" нам приходилось решать многие из тех проблем, которые возникают сегодня.