Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Статьи

Электроника НТБ #1/2025

Репортажи // все

Электроника НТБ #10/2024

Электроника НТБ #7/2024

Новости // все новости

21.03.2025

07.03.2025

События // все события

c 25.11.2025 до 27.11.2025

Тег "моп-транзистор"

Электроника НТБ #2/2019
В. Репин, И. Мухин, М. Дроздецкий, Г. Алексеев
Широкополосный СВЧ-аттенюатор, выполненный по мостовой структуре

Представлена оригинальная структура СВЧ-аттенюатора, изготовленного по КМОП КНИ-технологии. Особенность данной структуры – возможность непрерывной регулировки ослабления благодаря использованию в качестве переменных импедансов сопротивления канала полевых транзисторов. Частотный диапазон эффективного ослабления аттенюатора 1–12 ГГц при коэффициенте ослабления не менее 32 дБ, в более узкой полосе частот ослабление превышает 50 дБ. УДК 621.37 | ВАК 05.27.01 DOI: 10.22184/1992-4178.2019.183.2.116.119

Наноиндустрия #9/2018
Яшин Георгий Алексеевич, Глушко Андрей Александрович, Чистяков Михаил Геннадьевич, Макарчук Владимир Васильевич, Новоселов Антон Сергеевич, Амирханов Алексей Владимирович, Зинченко Людмила Анатольевна
Разработка и исследование SPICE-модели 0,35 мкм КНИ МОП-транзистора с геометрией затвора F-типа с применением системы приборно-технологического моделирования TCAD

С применением системы приборно-технологического моделирования TCAD разработана и исследована SPICE-модель МОП-транзистора с геометрией затвора F-типа, производимого по технологии КНИ с минимальной проектной нормой 0,35 мкм. На основе полученных в результате приборно-технологического моделирования данных объяснены физические эффекты, проявившиеся при его функционировании, и разработана концепция создания его SPICE-модели. УДК 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.430.434

Электроника НТБ #2/2018
О. Котельник
Применение генераторов импульсов серии АКИП-3309 для тестирования полупроводников

Рассмотрены примеры применения генераторов импульсов АКИП-3309, которые обеспечивают точное задание амплитуды и длительности импульсов, а также гибкое управление импульсными последовательностями, для тестирования ячеек энергонезависимой памяти и МОП-транзисторов. УДК 621.373.1 | ВАК 05.11.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.173.2.122.126

Наноиндустрия #7/2016
А.Бенедиктов, П.Игнатов
Моделирование состояний полного и частичного обеднения высокотемпературных транзисторов на структурах кремний на изоляторе

Рассмотрены особенности движения основных носителей зарядов в пространстве между стоком и истоком КНИ МОП-транзисторов при различных температурах окружающей среды. Смоделированы состояния полного и частичного обеднения транзисторов. DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.102.109

Наноиндустрия #5/2016
Д.Андреев, Д.Атамась, Д.Копцев, О.Ковалева
Библиотека кремниевых КМОП СВЧ-элементов и сложно-функциональных блоков для построения приемо-передающих модулей

Разработана библиотека СВЧ-элементов и сложно-функцио-нальных блоков, позволяющая корректно моделировать электрические характеристики СВЧ-транзисторов на частотах до 12 ГГц. DOI:10.22184/1993-8578.2016.67.5.46.57

Электроника НТБ #9/2014
В.Ракитин
МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ

Рассмотрен новый тип приборов с нанометровыми размерами – совмещенный МОП-транзистор (СМОП). Описана конструкция и принцип его работы. Проведено моделирование СМОП с минимальным топологическим размером 10 нм и показана его работоспособность при напряжении вплоть до 0,1 В.

Электроника НТБ #5/2015
П.Пастухов, П. Леонов
Быстродействующие ОЗУ – проблемы создания

В статье анализируются проблемы создания современных СОЗУ с высокими информационной емкостью и быстродействием.