Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "cmos"
Наноиндустрия #2/2020 С.О.Белостоцкая, А.А.Лукьянов, А.С.Росляков, А.Н.Семёнов, Р.А.Фёдоров Оценка надежности однократно программируемых постоянно запоминающих устройств, созданных на основе программируемых с помощью механизма электромиграции перемычек (eFuse)
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2.114.121 Оценивается надежность однократно программируемых постоянно запоминающих устройств (ОППЗУ), реализованных на технологии HCMOS8D с топологическими нормами 180 нм, разработанных для интеграции в базовый кристалл серии 5521ТР. На основе базовых слоев технологии HCMOS8D разработана структура и конструкция программируемых с помощью механизма электромиграции элементов ОППЗУ – перемычек (eFuse) на основе слоев n+-поликремния и силицида никеля. Разработана методика оценки надежности разработанных eFuse для ячеек памяти базового кристалла серии 5521ТР. Показано, что eFuse сохраняет остаточное сопротивление в заданных пределах в течение всего срока эксплуатации.
Наноиндустрия #9/2018 Фатеев Иван Александрович, Шалашова Елена Сергеевна Влияние Clock Gating ячеек на устойчивость навигационного приемного тракта к воздействию ОЯЧ
В данной статье рассмотрено воздействие clock gating ячеек на чувствительность КМОП схемы к воздействию одиночным ядерных частиц. Проанализировано влияние применения clock gating ячеек на количество чувствительных областей и произведено сравнение для схем с clock gating ячейками и без них. УДК 621.382+621.396.6 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.424.429
Наноиндустрия #9/2018 Ильин Сергей Алексеевич, Кочанов Сергей Константинович, Ласточкин Олег Викторович, Новиков Антон Алексеевич, Шипицин Дмитрий Святославович Особенности разработки STD/IO библиотек на основе MCML схемотехники в базисе технологии КМОП 90 нм и оценка перспектив их применения при проектировании СБИС
В статье описываются особенности и принципы разработки STD/IO библиотек на основе MCML схемотехники в базисе отечественной технологии КМОП 90 нм. Приведены базовые компоненты струтуры схемотехники MCML элементов. Рассмотрены плюсы и минусы выбранной логики. Проведено ее сравнение с традиционной CMOS. Оценены перспективы применения библиотек при проектировании СБИС. УДК 621.3.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.361.364
Наноиндустрия #6/2016 А.Бенедиктов, Е.Горнев, П.Игнатов Конструктивно-технологические решения элементной базы кремниевой высокотемпературной микроэлектроники
Рассмотрены основные решения, используемые при разработке компонентов высокотемпературной микроэлектроники на основе кремниевых структур. Показана возможность и перспективность применения КМОП-технологии на базе структур "кремний на изоляторе" (КНИ). DOI:10.22184/1993-8578.2016.68.6.86.94
Электроника НТБ #7/2016 Е.Балашов, А.Коротков, И.Румянцев Интегральные КМОП-схемы диапазона СВЧ: Опыт разработки
Рассмотрены особенности построения СВЧ ИС на основе КМОП-технологии. Описаны примеры проектов СВЧ ИС, в том числе малошумящие усилители, генераторы, управляемые напряжением, смесители, фазовращатели и усилители мощности.
Электроника НТБ #9/2014 В.Быков, К.Борисов, Ал.Быков, Ан.Быков, В.Котов, В.Поляков, В.Шиллер ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИСТЕМ БЕСШАБЛОННОЙ ЛИТОГРАФИИ
В статье изложен подход к созданию кластерных комплексов замкнутого цикла для разработки и мелкосерийного производства БИС- и СБИС-базы микро- и наноэлектроники с помощью систем бесшаблонной высокопроизводительной многолучевой электронной литографии и технологических комплексов сухой финишной очистки и планаризации с использованием ускоренных больших Ван-дер-Ваальсовых кластеров. "Гибкость" и адаптивность технологической линии под заданный тип технологического процесса обусловлены модульной конструкцией линии, объединенной единой сверхвысоковакуумной транспортной системой. Кроме технологических кластеров, технологическая линия может содержать метрологические и аналитические модули, модули коррекции топологии, обеспечивая разработки и малосерийное производство элементной базы наноэлектроники технологического уровня 22–14 нм.
eng
