Электроника НТБ #9/2014
А.Гудков, А.Клушин, А.Козлов
СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЕ ЦЕПОЧЕК ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ ПЕРЕХОДОВ Nb/α-Si/Nb
В настоящей работе впервые проведены измерения генерации цепочек низкотемпературных джозефсоновских переходов SDS-типа на основе сверхпроводниковой гетероструктуры Nb/α-Si/Nb. Проведено сравнение мощности излучения цепочек переходов SDS-типа с излучением цепочек джозефсоновских переходов из высокотемпературных сверхпроводников. Показана перспективность использования переходов SDS-типа для создания генераторов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Показано, что ширина линии генерации зависит от разброса нормальных сопротивлений джозефсоновских переходов в цепочке.
Электроника НТБ #9/2014
А.Гудков
ДЖОЗЕФСОНОВСКИЕ ПЕРЕХОДЫ: ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
Рассмотрены основные типы низкотемпературных джозефсоновских переходов на основе ниобиевой технологии (переходы SIS-, SNS- и SDS-типов), их конструкции и механизмы транспорта тока. Представлены вольт-амперные характеристики джозефсоновских переходов и выделены их отличительные особенности в зависимости от типа перехода. Определены основные параметры джозефсоновских переходов, отвечающие за их качество и практическую ценность. Дано описание технологии формирования джозефсоновских переходов и показано влияние качества сверхпроводниковой гетероструктуры, включая состояние границ раздела функциональных слоев, на электрические характеристики переходов. Определены области применения основных типов джозефсоновских переходов в соответствии с их свойствами. Дана перспектива дальнейшего развития джозефсоновских переходов, их технологии и конструкции.