sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
ISSN 1992-4178
Книги по электронике
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по электронике
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "nonlinearity"
Электроника НТБ #8/2021
Э. Акар
КАК ИЗМЕРЕНИЕ МОДУЛЯ ВЕКТОРА ОШИБКИ ПОМОГАЕТ ОПТИМИЗИРОВАТЬ ОБЩИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СИСТЕМЫ
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.209.8.142.148 Модуль вектора ошибки (EVM) – важная характеристика, позволяющая количественно оценить совокупное влияние всех возможных проблем в системах связи. В статье проанализировано, какие параметры системы влияют на EVM, рассмотрен ряд примеров использования EVM для оптимизации характеристик устройства на системном уровне.
Наноиндустрия #9/2018
Бутузов Владимир Алексеевич, Бочаров Юрий Иванович, Шунков Валерий Евгеньевич, Кусь Олег Николаевич, Прокопьев Виталий Юрьевич
Оптимизация топологии конденсаторной матрицы в АЦП последовательного приближения
Рассмотрено влияние топологических размеров матрицы переключаемых конденсаторов на погрешность дифференциальной нелинейности АЦП последовательного приближения в составе многоканальных микросхем и систем на кристалле. Даны рекомендации, позволяющие оптимизировать номиналы единичных конденсаторов емкостной матрицы и оценить размеры блока АЦП на ранних стадиях проектирования. УДК 621.382 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.369.375
Электроника НТБ #9/2014
Р.Лапшин
ОСОБЕННОСТЬ-ОРИЕНТИРОВАННАЯ СКАНИРУЮЩАЯ ЗОНДОВАЯ МИКРОСКОПИЯ: ПРЕЦИЗИОННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ, НАНОМЕТРОЛОГИЯ, НАНОТЕХНОЛОГИИ "СНИЗУ-ВВЕРХ"
Дается краткое описание группы методов, лежащих в основе особенность-ориентированной сканирующей зондовой микроскопии (ООСЗМ) – нового подхода в сканирующей зондовой микроскопии, при котором измеряемая или модифицируемая поверхность представлена не “мертвым” массивом точек скана, а совокупностью особенностей, каждая из которых характеризуется своим собственным набором признаков. Работа с особенностями поверхности позволяет при комнатной температуре не только существенно увеличить точность измерения топографии поверхности и заметно улучшить разрешение зондового микроскопа, но и в перспективе реализовать автономно работающее многозондовое нанопроизводство “снизу-вверх”.
Разработка: студия Green Art