Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "область излучательной рекомбинации"

Электроника НТБ #9/2014
У.Бекирев, С.Бабенко, В.Крюков, Б.Потапов, А.Скипер
СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ МНОГОПРОХОДНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

Приведены некоторые конструкции светодиодных чипов на основе многопроходных тонкопленочных p-n-гетероструктур. При изготовлении чипов светодиодов использовался высокотемпературный клей для посадки тонкопленочной излучающей p-n-гетероструктуры толщиной 15–30 мкм на подложку-носитель. Проведены экспериментальные исследования некоторых характеристик чипов светодиодов. Внешний квантовый выход тонкопленочных многопроходных светодиодов превысил 20%, а светодиодов на основе таких чипов – 30%, Таким образом, тонкопленочные чипы светодиодов заметно превосходят нетонкопленочные.

Электроника НТБ #9/2014
У.Бекирев, С.Бабенко, В.Крюков, Б.Потапов, А.Скипер
ЛАЗЕР НА ОСНОВЕ МНОГОПРОХОДНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ P-N-ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

Впервые исследованы полупроводниковые инжекционные лазеры на основе многопроходных тонкопленочных p-n-гетероструктур. Тонкопленочная многопроходная лазерная p-n-гетероструктура толщиной 13–30 мкм была посажена на подложку-носитель. Экспериментальные исследования решетки лазеров на основе тонкопленочных p-n-гетероструктур касались спектров излучения, пороговых токов и внешних квантовых выходов. В тонкопленочном многопроходном лазере были получены внешние квантовые выходы 77% при Т=300К и более 90% при Т=77К. Полученные результаты исследований были приведены в сравнение с аналогичными результатами для решетки лазеров на основе нетонкопленочной многопроходной p-n-гетероструктуры. Показано улучшение параметров многопроходных тонкопленочных лазеров над нетонкопленочными.

Электроника НТБ #9/2014
У.Бекирев, Б.Потапов
НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ВНУТРЕННИМ УСИЛЕНИЕМ ИНЖЕКЦИИ

Рассмотрен новый тип многопроходных излучающих гетероструктур – гетероструктуры с внутренним усилением инжекции, где активная область состоит из двух или более слоев с разными толщиной, легированием и шириной запрещенной зоны. Исследованы возможности и найдены критерии усиления инжекции в таких гетероструктурах. Эти критерии справедливы и для гетероструктур с поглощающей подложкой. Исследованы светодиоды и лазеры на основе таких гетероструктур. В светодиодах наблюдалось значительное возрастание внешнего квантового выхода излучения, начиная с некоторой плотности тока через p-n-переход. При исследовании лазеров обнаружены релаксационные импульсы тока и света в области пороговых токов. В светодиодах и лазерах возможен также эффект самоохлаждения узкозонного слоя активной области. Возможно получение эффекта тонкопленочности в нетонкопленочных структурах. Гетероструктуры с внутренним усилением инжекции могут быть перспективными для совершенствования полупроводниковых излучателей.