Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Статьи

Электроника НТБ #1/2025

Репортажи // все

Электроника НТБ #10/2024

Электроника НТБ #7/2024

Новости // все новости

01.04.2025

События // все события

c 21.10.2025 до 23.10.2025

c 25.11.2025 до 27.11.2025

Тег ": multipass p-n heterostructure"

Электроника НТБ #9/2014
У.Бекирев, С.Бабенко, В.Крюков, Б.Потапов, А.Скипер
ЛАЗЕР НА ОСНОВЕ МНОГОПРОХОДНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ P-N-ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

Впервые исследованы полупроводниковые инжекционные лазеры на основе многопроходных тонкопленочных p-n-гетероструктур. Тонкопленочная многопроходная лазерная p-n-гетероструктура толщиной 13–30 мкм была посажена на подложку-носитель. Экспериментальные исследования решетки лазеров на основе тонкопленочных p-n-гетероструктур касались спектров излучения, пороговых токов и внешних квантовых выходов. В тонкопленочном многопроходном лазере были получены внешние квантовые выходы 77% при Т=300К и более 90% при Т=77К. Полученные результаты исследований были приведены в сравнение с аналогичными результатами для решетки лазеров на основе нетонкопленочной многопроходной p-n-гетероструктуры. Показано улучшение параметров многопроходных тонкопленочных лазеров над нетонкопленочными.