Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "memory"

Электроника НТБ #6/2023
А. Шишарин
РАЗРАБАТЫВАЕМЫЙ АО «АНГСТРЕМ» 32 РАЗРЯДНЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР «ТРАССА 1П»: ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ

DOI: 10.22184/1992-4178.2023.227.6.56.59 Рассмотрен 32 разрядный универсальный микроконтроллер «Трасса 1П», разрабатываемый АО «Ангстрем». Приведена информация о характеристиках и перспективах развития данного микроконтроллера. Ключевые слова: микроконтроллер, память, интерфейс

Электроника НТБ #1/2022
С. Аряшев, С. Власов, П. Зубковский, С. Сидоров
МИКРОКОНТРОЛЛЕР «КОМДИВ-МК»

DOI: 10.22184/1992-4178.2022.212.1.118.120 Рассмотрен микроконтроллер «Комдив-МК», выпущенный ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН. Он обладает пониженным энергопотреблением и предназначен в основном для использования в устройствах промышленного Интернета вещей. Приведена информация о структуре, характеристиках и возможных применениях данного микроконтроллера.

Электроника НТБ #10/2021
И. Тарасов
АРХИТЕКТУРА И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛИС XILINX VERSAL

DOI: 10.22184/1992-4178.2021.211.10.136.140 Рассмотрены ПЛИС Xilinx Versal. Отмечено, что их особенностью является добавление на кристалл матрицы процессоров с архитектурой VLIW. Приведена информация об архитектуре, характеристиках и областях применения ПЛИС Xilinx Versal.

Электроника НТБ #9/2014
А.Гудков, А.Гогин, М.Кик, А.Козлов, А.Самусь
МЕМРИСТОРЫ – НОВЫЙ ТИП ЭЛЕМЕНТОВ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ ДЛЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Рассмотрены возможности формирования мемристивных структур различными технологическими методами и с различными материалами барьерных слоев. Показана перспективность использования мемристоров в развитии полупроводниковой электроники. Описана технология формирования экспериментальных образцов мемристоров. Представлены предварительные результаты экспериментального исследования мемристивных структур Pt/TiO2/TiOx/Pt. Показан процесс "формовки" (электроформовки) и последовательное изменение вольт-амперной характеристики. Приведена типичная вольт-амперная характеристика мемристора Pt/TiO2/TiOx/Pt после проведения процесса "формовки".