Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "annealing"

Электроника НТБ #9/2014
В.Андреев, В.Масловский, А.Сафонов, А.Столяров
МОДИФИКАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК МДП-ПРИБОРОВ

Рассмотрены основные способы модификации подзатворных диэлектрических слоев МДП-структур и особенности их использования для корректировки параметров, уменьшения дефектности и повышения надежности МДП-приборов. Исследовано влияние инжекционно-термической и плазменной обработок на характеристики МДП-структур. Показано, что термостабильная часть отрицательного заряда, накапливающегося в пленке фосфорно-силикатного стекла (ФСС) в структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС, в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов может использоваться для корректировки пороговых напряжений, зарядовой стабильности и пробивных напряжений МДП-приборов.