Электроника НТБ #4/2018
А. Гасанов, А. Наумов
Промышленное производство галлия и индия: современное состояние и прогнозы
Представлен обзор мирового и российского рынков галлия и индия – исходных материалов для синтеза полупроводниковых соединений современной СВЧ-техники (GaAs, InP). УДК 621.315.592 | ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.175.4.156.162
Электроника НТБ #9/2015
П.Машевич, В.Мартыненко, Т.Крицкая, В.Мускатиньев, А.Бормотов, М.Тогаев
Современные IGBT-модули на напряжение 1200–1700 В для энергосберегающих электроприводов
ОАО “Ангстрем” и ОАО “Электровыпрямитель” в рамках соглашения между предприятиями о стратегическом сотрудничестве в сфере силовой электроники и системотехники провели работы по созданию производства конкурентоспособных IGBT- и FRD-кристаллов на напряжения 1200 и 1700 В и силовых модулей на их основе.