Электроника НТБ #7/2017
А.Лезинов
Расширение частотного диапазона высокомощных делителей-сумматоров мощности за счет минимизации емкости, вносимой резисторами
В статье представлено конструкторское решение, которое позволяет расширить полосу пропускания делителя-сумматора на 50% за счет снижения потерь сигнала из-за влияния паразитных емкостей, вносимых используемыми в устройстве чип-резисторами. УДК 621.372.62 ВАК 05.27.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.168.7.86.88
Электроника НТБ #1/2016
М.Черных
Выбор конструктивно-технологических параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов на основе карбида кремния
Рассмотрены ключевые факторы, определяющие выбор конструктивно-технологических параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов на основе SiC. Выполнена оценка влияния этих параметров на величину паразитных емкостей MESFET-транзисторов.