Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "эпитаксия"
Первая миля #8/2024 С.С.Коган Транспортные ВОСП большой пропускной способности. Часть 3. Эволюция технологий для изготовления когерентных ЦСП. Окончание
DOI: 10.22184/2070-8963.2024.124.8.68.73 В цикле статей представлены международные отраслевые стандарты для открытых линейных интерфейсов 400G со сменными когерентными оптическими модулями-приемопередатчиками (трансиверами) транспортных волоконно-оптических систем передачи (ВОСП) OTN/DWDM (часть 1), эволюция поколений когерентных цифровых сигнальных процессоров (ЦСП) для высокоскоростных оптических каналов (длин волн) ВОСП (часть 2), а также эволюция технологий для изготовления когерентных ЦСП для ВОСП (часть 3).
Электроника НТБ #6/2020 Н. Кульчицкий, А. Наумов, В. Старцев Охлаждаемые фотоприемные устройства ИК‑диапазона на кадмий-ртуть-теллуре: состояние и перспективы развития
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.197.6.114.121 Анализируется состояние и перспективы развития рынка охлаждаемых ИК фотоприемных устройств на кадмий-ртуть-теллуре.
Наноиндустрия #7-8/2018 А.Афанасьев, В.Ильин, В.Лучинин, А.Михайлов Газофазная эпитаксия – ключевая технология силовых МДП-транзисторов на карбиде кремния
Рассмотрены особенности применения и возможности газофазной эпитаксии в технологии изготовления силовых вертикальных МДП-транзисторов на основе 4H–SiC при формировании дрейфовой области прибора и оптимизации электрофизических свойств канала транзистора. С технологической точки зрения ключевыми элементами для создания карбидокремниевых компонент силовой электроники, определившими возможность создания электронной компонентной базы (ЭКБ) силовой электроники на 4H–SiC, являются технологии объемного и эпитаксиального роста. Улучшение технологии эпитаксиального роста наряду с улучшением качества подложек сделало возможным изготовление приборных структур, демонстрирующих преимущества карбида кремния как базового материала силовой электроники по сравнению с другими полупроводниками. DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.7-8.488.497
Электроника НТБ #3/2016 А.Алексеев, С.Иванов, С.Сорокин Тандем отечественной науки и производства для решения перспективных задач оптоэлектроники
Представлено модернизированное оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур на основе широкозонных полупроводниковых соединений А2В6.
Электроника НТБ #2/2016 Модернизация вакуумного технологического оборудования ЗАО "НТО" для разработки и производства ЭКБ
Компания ЗАО "НТО" – одна из лидеров отечественного рынка производителей специального технологического оборудования для создания перспективной ЭКБ. Разрабатывает и производит широкий спектр современных вакуумных систем для молекулярно-лучевой эпитаксии и формирования тонкопленочных структур на пластине.
eng
