sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по электронике
Другие серии книг:
Мир электроники
Мир радиоэлектроники
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир материалов и технологий
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "свч-транзистор"
Электроника НТБ #9/2024
И. Семейкин
СИЛОВЫЕ И СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ОТ АО «НИИЭТ»: ДОСТУПНЫЕ РЕШЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ
DOI: 10.22184/1992-4178.2024.240.9.56.62 Приводятся преимущества GaN-технологии для силовой и СВЧ-электроники, некоторые сведения об истории ее развития, текущем состоянии и перспективах, данные о возможностях и планах АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») по производству GaN-компонентов и характеристики ряда силовых и СВЧ-транзисторов разработки и производства предприятия.
Электроника НТБ #2/2023
Р. Алексеев, И. Семейкин, А. Цоцорин, П. Куршев
LDMOS: НОВЫЕ РАЗРАБОТКИ АО «НИИЭТ»
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.223.2.92.96 Приводятся сведения об усовершенствованиях технологии LDMOS в АО «НИИЭТ», а также о разрабатываемых предприятием СВЧ-транзисторах, основанных на данной технологии и предназначенных для применения в телевизионной аппаратуре стандартов DVB-T / DVB-T2.
Электроника НТБ #7/2022
В. Бельков, П. Куршев, И. Семейкин, А. Цоцорин
МОЩНЫЙ ВНУТРИСОГЛАСОВАННЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ GaN ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНОГО ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ И ДРУГИХ ПРИМЕНЕНИЙ
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.218.7.90.93 Приводятся особенности, преимущества и эксплуатационные параметры разработанного АО «НИИЭТ» внутрисогласованного СВЧ-транзистора на основе GaN в компактном корпусе мощностью 50 Вт для работы в диапазоне частот, востребованном в передовых технологиях телекоммуникаций.
Электроника НТБ #5/2020
В. Бельков, А. Цоцорин, И. Семейкин, М. Черных
МОЩНЫЕ СВЧ И ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.196.5.78.80 В АО «НИИЭТ» создан ряд мощных СВЧ-транзисторов с мощностью 400 Вт в диапазоне частот до 1,6 ГГц и мощностью до 80 Вт в диапазоне частот до 12 ГГц. Представлен также ряд силовых переключающих транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В
Электроника НТБ #5/2016
А.Алексеев, С.Петров
Создание мощных СВЧ-транзисторов и микросхем на основе GaN – отечественный комплекс технологического оборудования
Рассмотрены проектирование и производство мощных СВЧ-транзисторов и микросхем на основе GaN, реализованные в результате кооперации российских производителей оборудования и электронной компонентной базы.
Разработка: студия Green Art