Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Статьи

Электроника НТБ #1/2025

Репортажи // все

Электроника НТБ #10/2024

Электроника НТБ #7/2024

Новости // все новости

07.03.2025

События // все события

c 25.11.2025 до 27.11.2025

Тег "свч-транзистор"

Электроника НТБ #9/2024
И. Семейкин
СИЛОВЫЕ И СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ОТ АО «НИИЭТ»: ДОСТУПНЫЕ РЕШЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ

DOI: 10.22184/1992-4178.2024.240.9.56.62 Приводятся преимущества GaN-технологии для силовой и СВЧ-электроники, некоторые сведения об истории ее развития, текущем состоянии и перспективах, данные о возможностях и планах АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») по производству GaN-компонентов и характеристики ряда силовых и СВЧ-транзисторов разработки и производства предприятия.

Электроника НТБ #2/2023
Р. Алексеев, И. Семейкин, А. Цоцорин, П. Куршев
LDMOS: НОВЫЕ РАЗРАБОТКИ АО «НИИЭТ»

DOI: 10.22184/1992-4178.2023.223.2.92.96 Приводятся сведения об усовершенствованиях технологии LDMOS в АО «НИИЭТ», а также о разрабатываемых предприятием СВЧ-транзисторах, основанных на данной технологии и предназначенных для применения в телевизионной аппаратуре стандартов DVB-T / DVB-T2.

Электроника НТБ #7/2022
В. Бельков, П. Куршев, И. Семейкин, А. Цоцорин
МОЩНЫЙ ВНУТРИСОГЛАСОВАННЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ GaN ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНОГО ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ И ДРУГИХ ПРИМЕНЕНИЙ

DOI: 10.22184/1992-4178.2022.218.7.90.93 Приводятся особенности, преимущества и эксплуатационные параметры разработанного АО «НИИЭТ» внутрисогласованного СВЧ-транзистора на основе GaN в компактном корпусе мощностью 50 Вт для работы в диапазоне частот, востребованном в передовых технологиях телекоммуникаций.

Электроника НТБ #5/2020
В. Бельков, А. Цоцорин, И. Семейкин, М. Черных
МОЩНЫЕ СВЧ И ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.196.5.78.80 В АО «НИИЭТ» создан ряд мощных СВЧ-транзисторов с мощностью 400 Вт в диапазоне частот до 1,6 ГГц и мощностью до 80 Вт в диапазоне частот до 12 ГГц. Представлен также ряд силовых переключающих транзисторов с напряжением сток-исток 100, 200 и 650 В

Электроника НТБ #5/2016
А.Алексеев, С.Петров
Создание мощных СВЧ-транзисторов и микросхем на основе GaN – отечественный комплекс технологического оборудования

Рассмотрены проектирование и производство мощных СВЧ-транзисторов и микросхем на основе GaN, реализованные в результате кооперации российских производителей оборудования и электронной компонентной базы.