Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега - гетеропереходный биполярный транзистор (гбт)

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178

Книги по электронике

Тег "гетеропереходный биполярный транзистор (гбт)"

Электроника НТБ #5/2016
В.Тимошенков
Внедрение SiGe-технологии: успехи и перспективы

Промышленное внедрение SiGe-технологии позволит создавать СВЧ-микросхемы с рекордными параметрами. В статье рассмотрены свойства гетеропереходных биполярных транзисторов (ГБТ), примеры СВЧ-микросхем, созданных на базе кремний-германиевых ГБТ, а также перспективы развития SiGe-технологии.