Электроника НТБ #3/2011
А.Воробьев, А.Галдецкий
Создание эффективного теплоотвода мощного СВЧ-транзистора с помощью структуры со стоп-слоем
Одно из основных направлений развития полупроводниковой СВЧ-электроники – повышение мощности единичных приборов. Мощность полупроводниковых СВЧ-приборов на основе арсенида галлия ограничивается их большим тепловым сопротивлением, обусловленным в значительной степени плохой теплопроводностью подложки GaAs. Для улучшения теплоотвода мощных СВЧ-транзисторов предложена новая конструкция транзистора, численное моделирование теплового режима которой показало ее эффективность.