Наш сайт использует cookies.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
Тег "gaas devices"
Электроника НТБ #10/2021 М. Макушин ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МОНОЛИТНЫХ СВЧ ИС И GaN-РАДИОПРИБОРОВ
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.211.10.74.83 Рассматриваются перспективы развития рынка и технологий монолитных СВЧ ИС, а также радиоприборов на основе GaN и GaAs. Отмечается, что перспективы развития во многом зависят от технологии, по которой реализуются СВЧ ИС и радиоприборы.
Электроника НТБ #7/2012 И.Викулов Монолитные интегральные схемы СВЧ технологическая основа АФАР
Стремительный рост применения активных фазированных антенных решеток (АФАР) стал возможным благодаря развитию технологии монолитных интегральных схем (МИС) СВЧ-диапазона. Сегодня наиболее освоена технология построения модулей АФАР на основе GaAs-микросхем. Вместе с тем, в последнее десятилетие выполнены крупные научно-исследовательские проекты по изготовлению МИС с высокими параметрами на основе нитрида галлия (GaN). Рассмотрим состояние технологий и направления разработок новых МИС, а также примеры РЛС с GaAs и GaN АФАР, вошедших в состав новейших радиоэлектронных систем управления вооружением.
Электроника НТБ #6/2011 В.Майская Компоненты беспроводной связи – миллиметровая волна
Одновременно со стремительным ростом пользователей беспроводными средствами связи – от корпоративных информационных центров до подростков с iPhone – растет и потребность в повышении пропускной способности беспроводных систем связи. Это стимулирует разработку мобильных и стационарных систем широкополосного беспроводного доступа, работающих на частотах миллиметрового диапазона длин волн. И если первоначально электронные компоненты миллиметрового диапазона длин волн в основном предназначались для военных и космических систем, то сегодня они активно проникают на рынки устройств гражданского назначения, в первую очередь средств связи и автомобильных радиолокаторов. Исторически на рынке сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов для систем военного и космического назначения доминировали приборы на арсениде галлии и фосфиде индия. Они и сейчас активно разрабатываются. Но благодаря совершенствованию кремниевой, в том числе SiGe, технологии и созданию наноразмерных КМОП-устройств, кремний сегодня рассматривается как перспективная альтернатива полупроводниковым соединениям при разработке устройств для беспроводных локальных и персональных систем связи миллиметрового диапазона.
eng
